کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5007451 | 1461607 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wavelength dependence of silicon avalanche photodiode fabricated by CMOS process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Wavelength dependence of silicon avalanche photodiode fabricated by CMOS process Wavelength dependence of silicon avalanche photodiode fabricated by CMOS process](/preview/png/5007451.png)
چکیده انگلیسی
Avalanche photodiodes fabricated by CMOS process (CMOS-APDs) have features of high avalanche gain below 10Â V, wide bandwidth over 5Â GHz, and easy integration with electronic circuits. In CMOS-APDs, guard ring structure is introduced for high-speed operation by canceling photo-generated carriers in the substrate at the sacrifice of the responsivity. We describe here wavelength dependence of the responsivity and the bandwidth of the CMOS-APDs with shorted and opened guard ring structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 92, 1 July 2017, Pages 193-197
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 92, 1 July 2017, Pages 193-197
نویسندگان
Zul Atfyi Fauzan Mohammed Napiah, Takuya Hishiki, Koichi Iiyama,