کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5007593 | 1461611 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Passively Q-switched Erbium-doped and Ytterbium-doped fibre lasers with topological insulator bismuth selenide (Bi2Se3) as saturable absorber
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper portrays a simple Q-switched Erbium-doped fibre (EDF) and Ytterbium doped fibre (YDF) lasers by using topological insulator (TI) Bismuth Selenide (Bi2Se3) as saturable absorber. The modulation depth of the fabricated Bi2Se3 is about 39.8% while its saturating intensity is about 90.2 MW/cm2. By depositing the TI Bi2Se3 SA onto fibre ferrules and incorporate it inside the proposed cavity, a stable Q-switching operation was achieved at 1 μm and 1.5 μm. The fabricated Bismuth Selenide (Bi2Se3) as saturable absorber (SA) is a broadband SA where it offers a compact and low cost fabrication which is beneficial in various photonic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 88, February 2017, Pages 121-127
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 88, February 2017, Pages 121-127
نویسندگان
H. Haris, S.W. Harun, A.R. Muhammad, C.L. Anyi, S.J. Tan, F. Ahmad, R.M. Nor, N.R. Zulkepely, H. Arof,