کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5008057 1461837 2017 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Infrared photo-resistors based on recrystallized amorphous germanium films on flexible substrates
ترجمه فارسی عنوان
عکس رزونانس مادون قرمز بر اساس فیلم های ژرمینوم آمورف کریستالیزه شده روی زیربناهای انعطاف پذیر
کلمات کلیدی
الکترونیک انعطاف پذیر، اپتوالکترونیک، عکس مقاومت، الکترونیک پوشیدنی، ژرمانیوم،
ترجمه چکیده
تهیه عکس های رزونانس نزدیک به مادون قرمز بر پایه ژنومی بر روی یک بستر انعطاف پذیر گزارش شده است. این دستگاه ها با استفاده از پلاسمای شیمیایی بخار شیمیایی خورشیدی گارمونیوم آمورف در یک لایه پشته الیافی از نیترید سیلیکون و اکسید سیلیکون در یک فیلم نازک پلی یید انعطاف پذیر ساخته شده است. فیلم های سپرده شده با استفاده از لیزر پالس با نرخ پالس های مختلف و تراکم انرژی لیزر برای بررسی اثرات کریستالیزاسیون ژرمانیم بر خصوصیات عکس های مقاومت، از راه می روند. پاسخ های الکتریکی و اپتو الکتریکی فیلم ها اندازه گیری شده و گزارش شده است. برای ارزیابی تغییرات در زبری سطح مواد خاردار در مقابل لاروهای ژرمنیوم آمورف، از طریق میکروسکوپ الکترونی اسکن و نیروی اتمی استفاده شد. تجزیه و تحلیل چگالی طیفی قدرت برای بررسی اثر لیزر بر روی ساختار بلوری نمونه های ژرمانیم انجام شد. این کار با ارائه یک جریان پردازش کم دما، پایه ای برای توسعه سنسورهای مادون قرمز بالای زیربناهای قابل انعطاف با کاربردهای بالقوه در الکترونیک پوشیدنی است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی الکتروشیمی
پیش نمایش مقاله
عکس رزونانس مادون قرمز بر اساس فیلم های ژرمینوم آمورف کریستالیزه شده روی زیربناهای انعطاف پذیر
چکیده انگلیسی
The fabrication of germanium-based near infrared photo-resistors on a flexible substrate is reported. The devices were fabricated using plasma enhanced chemical vapor deposition of amorphous germanium on an insulating stack layer of silicon nitride and silicon oxide on a flexible polyimide thin film. The deposited films were annealed using a pulsed laser at different pulse rates and laser energy densities to investigate the effects of germanium recrystallization on the characteristics of the photo-resistors. Electrical and opto-electrical responses of the films have been measured and reported. Surface characterization via scanning electron and atomic force microscopy was used to evaluate the variations in surface roughness of the annealed material versus the amorphous germanium layers. Power spectral density analysis was performed to investigate the effect of laser annealing on the crystalline structure of the germanium samples. Providing a low-temperature processing flow, this work lays the foundation for the development of infrared sensors above flexible substrates with potential applications in wearable electronics among others.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 263, 15 August 2017, Pages 341-348
نویسندگان
, , , , , , , ,