کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5013782 | 1463045 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of wire speed on subsurface cracks in wire sawing process of single crystal silicon carbide
ترجمه فارسی عنوان
اثر سرعت سیم بر روی ترک های زیرزمینی در فرایند سیم اره ای کاربید سیلیکون تک کریستال
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سرعت سیم، عوامل شدت تنش پویا، کاربید سیلیکون کریستال تک، کرک زیرزمینی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی مکانیک
چکیده انگلیسی
The effect of wire speed on dynamic stress intensity factors (DSIFs) at subsurface crack tips in the wire sawing process of single crystal silicon carbide (SiC) is investigated. The analysis of wire speed is converted to dynamic excitation loads due to moving diamond abrasives on wire saw. The excitation loads are obtained from stress field around the abrasives considering the morphology of abrasives and scratching depth. The governing equations are established for the hexagonal crystal structures of SiC, and solutions under the dynamic excitation load are calculated using Laplace transformation and Fourier transformation. Results show that the scratching angle and length of cracks have a great influence on the DSIFs. However, the effect of wire speed on the ratio of maximum DSIFs and maximum static stress intensity factors (SSIFs) is relatively small when the wire speed is less than 100Â m/s. This indicates that the wire sawing process can be simplified as a quasi-static process when analyzing subsurface cracks problem.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Engineering Fracture Mechanics - Volume 184, 15 October 2017, Pages 273-285
Journal: Engineering Fracture Mechanics - Volume 184, 15 October 2017, Pages 273-285
نویسندگان
Peizhi Wang, Peiqi Ge, Wenbo Bi, Mengran Ge, Tengyun Liu,