کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5014165 1463063 2016 40 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Piezoelectric-conductor iterative method for analysis of cracks in piezoelectric semiconductors via the finite element method
ترجمه فارسی عنوان
روش تکراری پیزوالکتریک-هادی برای تحلیل ترک ها در نیمه هادی های پیزوالکتریک از طریق روش المان محدود
کلمات کلیدی
نیمه هادی پیزوالکتریک، روش تکراری پیزوالکتریک-هادی، شکستگی، فاکتور شدت، تجزیه و تحلیل عنصر محدود،
ترجمه چکیده
بر اساس خواص ویژه ی اتصال معادله ی حاکم، معادله ی سازنده و شرایط مرزی، روش تکراری پیزوالکتریک برای تحلیل ساختاری نیمه هادی های پیزوالکتریک با بارگیری مکانیکی مکانیکی، میدان نیروی الکتریکی (یا جابجایی الکتریکی) و جریان الکتریکی یا تراکم حامل الکتریکی). در این رویکرد، روش های تجزیه و تحلیل برای رسانه های پیزوالکتریک و هادی ها که به طور گسترده و گسترده مورد مطالعه قرار گرفته اند، به طور تکراری مورد استفاده قرار می گیرند. در این مقاله ابتدا روش تکرار پیزوالکتریک-هادی ترسیم شده و با استفاده از روش عنصر محدود برای تحلیل یک صفحه نیمه هادی پیزو الکتریکی شکسته انجام می شود. عوامل شدت شدت، از جمله عامل شدت تنش، فاکتور شدت جابجایی الکتریکی و عامل جریان الکتریکی در نوک کرک محاسبه می شود. اثر بارهای اعمال شده و اندازه هندسی بر رفتار شکستگی نیمه رسانای پیزوالکتریک مورد مطالعه قرار گرفته است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی مکانیک
پیش نمایش مقاله
روش تکراری پیزوالکتریک-هادی برای تحلیل ترک ها در نیمه هادی های پیزوالکتریک از طریق روش المان محدود
چکیده انگلیسی
Based on the special coupling properties of the governing equation, constitutive equation, and boundary conditions, the piezoelectric-conductor iterative method is proposed for structural analysis of piezoelectric semiconductors with combined mechanical loading, electric strength field (or electric displacement), and electric current (or electric carrier density). In this approach, the analysis methods for piezoelectric media and conductors, which have been studied intensively and extensively, are used iteratively. In this paper, the piezoelectric-conductor iterative method is first presented and implemented via the finite element method to analyze a cracked piezoelectric semiconductor plate. The extended intensity factors, including the stress intensity factor, the electric displacement intensity factor, and the electric current factor at the crack tip, are calculated. The effects of the applied loadings and geometric sizes on the fracture behaviors of piezoelectric semiconductors are studied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Engineering Fracture Mechanics - Volume 165, October 2016, Pages 183-196
نویسندگان
, , , ,