کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
513695 | 866514 | 2006 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A 2-D model that accounts for 3-D fringing in MEMS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
نرم افزارهای علوم کامپیوتر
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we demonstrate that one can pose and solve a 2-D problem that accounts for 3-D fringing. The proposed technique does not require the construction of the 3-D CAD model or surface/volume mesh. Instead, the 3-D electrostatics problem is collapsed to 2-D via a novel dimensional reduction method. Once the 2-D problem is solved, the full 3-D field and associated charges/forces can be recovered, as a post-processing step. The simplicity and computational efficiency of the technique lends itself well to parametric study and design optimization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Engineering Analysis with Boundary Elements - Volume 30, Issue 11, November 2006, Pages 963-970
Journal: Engineering Analysis with Boundary Elements - Volume 30, Issue 11, November 2006, Pages 963-970
نویسندگان
Krishnan Suresh, Murari Sinha,