کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
538789 | 871140 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Relationship between exciton recombination zone and applied voltage in organic light-emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, the relationship between exciton recombination zone and applied voltage in organic light-emitting diodes (OLEDs) ITO/NPB (40 nm)/Alq3(w nm)/rubrene(3 nm)/Alq3(50−w)/Al, in which a 3 nm rubrene as sensing layer is inserted in Alq3 layer at different depth, is studied. By comparing the electroluminescence (EL) spectra of device driven under different applied voltages, a conclusion can be drawn that the recombination zone shifts logarithmically with increasing applied voltages.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Displays - Volume 27, Issue 3, July 2006, Pages 108–111
Journal: Displays - Volume 27, Issue 3, July 2006, Pages 108–111
نویسندگان
Jingang Hao, Zhenbo Deng, Shengyi Yang,