کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5444546 | 1511111 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen-related defects in n-type Czochralski silicon wafers studied by hyperspectral photoluminescence imaging
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Oxygen-related Thermal Donors in n-type Czochralski silicon (Cz-Si) wafers have been investigated using hyperspectral photoluminescence imaging and OxyMap. Thermal Donors give rise to two photoluminescence emissions, one narrow peak at 0.767 eV, and one broad band with centre peak at 0.72 eV that is also measurable at room temperature. The spectral imaging was first carried out on the sample cooled to 90 K, then repeated at room temperature (300 K). The possibility to delimitate at room temperature defects-rich zones with hyperspectral photoluminescence imaging is evidenced.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 107-112
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 107-112
نویسندگان
Torbjørn Mehl, Ingunn Burud, Elénore Letty, Espen Olsen,