کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5444572 | 1511111 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic layer deposited dielectric and/or semiconducting oxide bilayers for crystalline silicon surface passivation
ترجمه فارسی عنوان
لایه اتمی دی اکسید کربن و / یا دو لایه اکسید نیمه هادی برای رسوبگذاری سطح سیلیکون بلور
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
چکیده انگلیسی
This study deals with the silicon surface passivation by thermal ALD deposited oxides bilayer of HfO2/Al2O3 as well as single layer of Al rich ZnO (AZO) in the form of ZnO and Al2O3 multilayers. A significant improvement in the effective minority carrier lifetime (Ïeff ~ 1.3ms) of n-type Si is observed after deposition of HfO2(5nm)/Al2O3(5nm)/Si compared to that of the single layer Al2O3(10nm)/Si (~0.6ms). Better surface passivation is due to a significant increase in the effective charge density in the bilayer system. Also, the sequence of the dielectric layers is found to play an important role in the quality and effectiveness of the passivation. Further, high Ïeff (~1.5ms) is also realized for p-type Si passivated by ALD deposited AZO films as compared to single layer of pure ZnO (~35μs) when annealed in hydrogen ambient at 450â for 30mins.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 302-306
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 302-306
نویسندگان
Jagannath Panigrahi, Vandana Panwar, Rajbir Singh, P.K. Singh,