کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5444610 | 1511111 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Demonstrating the high Voc potential of PEDOT:PSS/c-Si heterojunctions on solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this study, we demonstrate the high surface passivation quality of PEDOT:PSS/c-Si junctions for the first time on solar cell level, reaching a record high Voc value of 688 mV after full-area metallization of the PEDOT:PSS. We achieve this by combining the PEDOT:PSS hole-selective layer at the rear of the crystalline silicon wafer with a well-passivating electron-selective a-Si:H(i/n) layer stack at the front. Our results clearly prove the excellent hole selectivity of PEDOT:PSS on crystalline silicon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 593-597
Journal: Energy Procedia - Volume 124, September 2017, Pages 593-597
نویسندگان
Ralf Gogolin, Dimitri Zielke, Antoine Descoeudres, Matthieu Despeisse, Christophe Ballif, Jan Schmidt,