Evaluating Depth Distributions of Dislocations in Silicon Wafers Using Micro-Photoluminescence Excitation Spectroscopy

با ترکیب طیف سنجی میکرو فوتولومینسانس و طیف سنجی تحریک فوتولومینسانس، می توانیم تکامل طیف های لومینسانس را از ویفر های سیلیکونی بلوری تحت طول موج های مختلف تحریک مشاهده کنیم. با تفسیر تغییر نسبی طیف های لومینسانس، ما می توانیم توزیع ها و نواقصی که در اطراف آنها رخ می دهد، در اعماق مختلف زیر سطحی ویفر، جداسازی و تجزیه و تحلیل کنیم. ما نشان می دهیم که در ورقه های سیلیکونی چند وجهی، تخریب ها و نقص ها و ناخالصی های تله ای که در طول رشد و خنک شدن شکل گرفته اند، در طول ضخامت ویفر توزیع شده اند، در حالیکه آنهایی که در ورقه های مونوکریستال بوسیله درمان حرارتی پس از انتشار در نزدیکی ویفر قرار می گیرند سطح