کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5446612 | 1511143 | 2016 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of 20.96% Efficiency n-type Czochralski UMG Silicon Solar Cell
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Simulation of 20.96% Efficiency n-type Czochralski UMG Silicon Solar Cell Simulation of 20.96% Efficiency n-type Czochralski UMG Silicon Solar Cell](/preview/png/5446612.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, we present the 3D simulation of>20% efficiency solar cells using n-type 100% Upgraded-Metallurgical Grade (UMG) Czochralski (CZ) silicon and Electronic Grade (EG) Float Zone (FZ) fabricated using the same process. The cells have a passivated emitter rear locally diffused (PERL) structure, with an etch-back approach on the rear to maintain high bulk lifetime in the cells via phosphorus gettering. Simulation ofthe power losses of both devices are analysed as a function of measured material and cell parameters, including minority carrier lifetime, reflectance, contact resistivity and recombination parameters of the diffused and non-diffused surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 92, August 2016, Pages 434-442
Journal: Energy Procedia - Volume 92, August 2016, Pages 434-442
نویسندگان
Peiting Zheng, Fiacre E. Rougieux, Chris Samundsett, Xinbo Yang, Yimao Wan, Julien Degoulange, Roland Einhaus, Pascal Rivat, Daniel Macdonald,