کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5446638 | 1511143 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Back Junction n-type Silicon Heterojunction Solar Cells with V2O5 Hole-selective Contact
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Back Junction n-type Silicon Heterojunction Solar Cells with V2O5 Hole-selective Contact Back Junction n-type Silicon Heterojunction Solar Cells with V2O5 Hole-selective Contact](/preview/png/5446638.png)
چکیده انگلیسی
In this work, a back junction solar cell design is explored for n-type crystalline silicon by using thermally evaporated V2O5 as a rear hole contact and n+ amorphous silicon (a-Si:H) as a front electron contact. Photoconductance measurements revealed an implicit open-circuit voltage (i-VOC) of 670Â mV for the solar cell precursor (before metallization), achieved by maximizing the work function of V2O5 with a thin nickel capping layer. The VOC value of the finished device was lower than projected at 617Â mV, most likely due to poor passivation of the active area perimeter. Nonetheless, an efficiency of 14.2% was achieved (in polished substrates), proving the potential of such a novel structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 92, August 2016, Pages 633-637
Journal: Energy Procedia - Volume 92, August 2016, Pages 633-637
نویسندگان
Luis G. Gerling, Gerard Masmitja, Cristobal Voz, Pablo Ortega, Joaquim Puigdollers, Ramón Alcubilla,