کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5488342 | 1524071 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of electron charging by voltage pulses in nanopillar transistors at high temperature
ترجمه فارسی عنوان
بررسی شارژ الکترونی توسط پالس های ولتاژ در ترانزیستورهای نانوذرات در دمای بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
چکیده انگلیسی
A study of electron transport in nanopillar transistors at 300â¯K shows that elastic vibration is an intrinsic behavior of the device. The frequency observed in the drain-source current is found to agree with that of the charging pulsed voltages. Given a quantum dot of size 10â¯Ãâ¯10â¯Ãâ¯9â¯nm3, the maximum displacement is estimated to be 0.3â¯nm. Once the displacement diminishes to zero, single-electron tunneling becomes the dominant effect. A forced vibration model is proposed to explain the correlation between the surface charges and the vibrations. When the distribution of charges is uniform on each SiNx atom, the vibration becomes stable and can yield a homogenous damping current.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 55, Issue 4, August 2017, Pages 1225-1229
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 55, Issue 4, August 2017, Pages 1225-1229
نویسندگان
Wang Te Chien, Wan Yue-Min,