کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5488526 | 1524102 | 2017 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Capacitance-voltage investigation of low residual carrier density in InAs/GaSb superlattice infrared detectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Capacitance-voltage (CV) analysis was performed on homojunction InAs/GaSb superlattice photodiodes for the mid-infrared spectral range around 5μm. The CV investigation was carried out over a wide temperature range from 80 K up to 200 K, for two nominally identical samples from two different epitaxy systems. The characterizations were carried out with a refined measurement setup, considering the impedance range, the measured frequency range and the accessible temperature range. For the calculated residual carrier density in the nid-region of the diodes values in the low 1014 cmâ3 and 1015 cmâ3 ranges were found, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 84, August 2017, Pages 3-6
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 84, August 2017, Pages 3-6
نویسندگان
Johannes Schmidt, Frank Rutz, Volker Daumer, Robert Rehm,