کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5491046 | 1524789 | 2017 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
YCo5±x thin films with perpendicular anisotropy grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: YCo5±x thin films with perpendicular anisotropy grown by molecular beam epitaxy YCo5±x thin films with perpendicular anisotropy grown by molecular beam epitaxy](/preview/png/5491046.png)
چکیده انگلیسی
The synthesis conditions of buffer-free (00l) oriented YCo5 and Y2Co17 thin films onto Al2O3 (0001) substrates have been explored by molecular beam epitaxy (MBE). The manipulation of the ratio of individual atomic beams of Yttrium, Y and Cobalt, Co, as well as growth rate variations allows establishing a thin film phase diagram. Highly textured YCo5±x thin films were stabilized with saturation magnetization of 517 emu/cm3 (0.517 MA/m), coercivity of 4 kOe (0.4 T), and anisotropy constant, K1, equal to 5.34Ã106 erg/cm3 (0.53 MJ/m3). These magnetic parameters and the perpendicular anisotropy obtained without additional underlayers make the material system interesting for application in magnetic recording devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 432, 15 June 2017, Pages 382-386
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 432, 15 June 2017, Pages 382-386
نویسندگان
S. Sharma, E. Hildebrandt, S.U. Sharath, I. Radulov, L. Alff,