کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5496176 | 1399835 | 2017 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultrafast all-optical imaging technique using low-temperature grown GaAs/AlxGa1 â xAs multiple-quantum-well semiconductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report and experimentally demonstrate an ultrafast all-optical imaging technique capable of single-shot ultrafast recording with a picosecond-scale temporal resolution and a micron-order two-dimensional spatial resolution. A GaAs/AlxGa1 â xAs multiple-quantum-well (MQW) semiconductor with a picosecond response time, grown using molecular beam epitaxy (MBE) at a low temperature (LT), is used for the first time in ultrafast imaging technology. The semiconductor transforms the signal beam information to the probe beam, the birefringent delay crystal time-serializes the input probe beam, and the beam displacer maps different polarization probe beams onto different detector locations, resulting in two frames with an approximately 9 ps temporal separation and approximately 25 lp/mm spatial resolution in the visible range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 381, Issue 41, 5 November 2017, Pages 3594-3598
Journal: Physics Letters A - Volume 381, Issue 41, 5 November 2017, Pages 3594-3598
نویسندگان
Guilong Gao, Jinshou Tian, Tao Wang, Kai He, Chunmin Zhang, Jun Zhang, Shaorong Chen, Hui Jia, Fenfang Yuan, Lingliang Liang, Xin Yan, Shaohui Li, Chao Wang, Fei Yin,