کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5496437 | 1399849 | 2017 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Novel T-shaped GaSb/InAsN quantum wire for mid-infrared laser applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Novel T-shaped GaSb/InAsN quantum wire for mid-infrared laser applications Novel T-shaped GaSb/InAsN quantum wire for mid-infrared laser applications](/preview/png/5496437.png)
چکیده انگلیسی
In this work, we investigate GaSb/InAs1âxNx T-shaped quantum wire active region in mid-infrared laser. Multi-band k.p model and variational formalism are applied to find the confinement energies, the band structures, and optical gain. We then present a method of numerical calculation that is suited to any T-shaped quantum wire. By tuning the quantum wire thickness, the TE- and TM-polarized optical gain up to 21Ã103 cmâ1 can be obtained for λ=3.11 μm at room temperature (RT), which is very promising to serve as an alternative active region for high-efficiency mid-infrared laser applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 381, Issue 38, 10 October 2017, Pages 3324-3331
Journal: Physics Letters A - Volume 381, Issue 38, 10 October 2017, Pages 3324-3331
نویسندگان
Said Ridene,