کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5496790 1399867 2017 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physicochemical model for reactive sputtering of hot target
ترجمه فارسی عنوان
مدل فیزیکوشیمیایی برای پرورش واکنش دهنده هدف داغ
کلمات کلیدی
مدل، اسپری واکنش پذیر، هدف داغ، اکسید، تبخیر،
ترجمه چکیده
در این مقاله یک مدل فیزیکوشیمیایی برای اسپکترومغناطیسی مگنترون واکنشی یک هدف فلزی توصیف شده است. دمای هدف در مدل به عنوان تابع چگالی جریان یونی تعریف شده است. سنتز پوشش به دلیل واکنش شیمیایی سطح رخ می دهد. قانون عمل جرمی، ایزوترم لانگموییر و معادله آرنینیوس برای شرایط غیر ایزوترمی برای توصیف ریاضی واکنش مورد استفاده قرار گرفت. این مدل در نظر گرفتن انتشار الکترون های گرما و تبخیر سطح هدف است. سیستم هشت معادله جبری، توصیف مدل، برای هدف تانتالیوم که در محیط اکسیژن پخش شده، حل شده است. تأیید شد که اثر افزایش هیسترزیس با افزایش تراکم جریان یونی از بین می رود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش مقاله
مدل فیزیکوشیمیایی برای پرورش واکنش دهنده هدف داغ
چکیده انگلیسی
A physicochemical model for reactive magnetron sputtering of a metal target is described in this paper. The target temperature in the model is defined as a function of the ion current density. Synthesis of the coating occurs due to the surface chemical reaction. The law of mass action, the Langmuir isotherm and the Arrhenius equation for non-isothermal conditions were used for mathematical description of the reaction. The model takes into consideration thermal electron emission and evaporation of the target surface. The system of eight algebraic equations, describing the model, was solved for the tantalum target sputtered in the oxygen environment. It was established that the hysteresis effect disappears with the increase of the ion current density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 381, Issue 5, 5 February 2017, Pages 472-475
نویسندگان
, , ,