کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6496356 | 45633 | 2015 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Patent elasticity, R&D intensity and regional innovation capacity in China
ترجمه فارسی عنوان
کشش ثبت اختراع، شدت تحقیق و توسعه و ظرفیت نوآوری منطقه ای در چین
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ظرفیت نوآوری منطقه ای، کشش ثبت اختراع، شدت تحقیق و توسعه، آزمون یکپارچه
ترجمه چکیده
این مطالعه با استفاده از ثبت اختراع برای اندازه گیری ظرفیت نوآوری منطقه ای و گرایش تغییر آن در سرزمین اصلی سینا. ما تجزیه و تحلیل تجربی از درخواست های ثبت اختراع از شرکت های بزرگ در طول سال های 2008 تا 2012 در چین را با دو بعد، موقعیت جغرافیایی و شدت تحقیق و توسعه ارائه می کنیم. ما متوجه شدیم که اختراع ها بسیار انعطاف پذیر تر از آنچه در ژاپن، ایالات متحده آمریکا و اروپا هستند. شکاف در ظرفیت نوآوری استان در چین به طور کلی محدود می شود، در حالی که شکاف در منطقه مرکزی و منطقه غرب همچنان رشد می کند. علاوه بر این، عملکرد نوآوری منطقه ای می تواند هر دو تحت تاثیر هزینه های ثبت اختراع و ورودی تحقیق و توسعه قرار گیرد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
بیو مهندسی (مهندسی زیستی)
چکیده انگلیسی
This study uses patent to measure regional innovative capacity and its changing tendency in mainland Cina. We provide an empirical analysis of patent applications from above-scale enterprises between 2008 and 2012 in China along two dimensions, geographical location and R&D intensity. We found that patents are much more elastic, than that in Japan, US and Europe. The gaps in provincial innovation capacity in China are narrowing as a whole, whereas the gaps in the central region and western region continue to grow. Furthermore, regional innovation performance can be both affected by patent application fees and R&D input.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: World Patent Information - Volume 43, December 2015, Pages 50-59
Journal: World Patent Information - Volume 43, December 2015, Pages 50-59
نویسندگان
Wei Yanhui, Zhang Huiying, Wei Jing,