کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
654894 | 885283 | 2007 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self heating modeling of SiGe heterojunction bipolar transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
جریان سیال و فرایندهای انتقال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A model of heat transfer in a SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) at the macro scale is established, that leads to an analytical solution. Modelling is based on the use of integral transforms as the Fourier and Laplace ones. The heat source is assumed as a heat flux applied at the base-collector junction. It is shown that the thermal behaviour of the transistor at the highest frequencies is perturbed by the deep-trench insulation of the device. Finally, it is shown the interest of this model to identify the thermal conductivity of the back-end layer which is treated as a homogeneous medium.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Communications in Heat and Mass Transfer - Volume 34, Issue 5, May 2007, Pages 553–563
Journal: International Communications in Heat and Mass Transfer - Volume 34, Issue 5, May 2007, Pages 553–563
نویسندگان
Pierre Yvan Sulima, Jean-Luc Battaglia, Thomas Zimmer, J.-C. Batsale,