کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6777508 1432062 2018 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Generalized photo-thermo-elastic interaction in a semiconductor plate with two relaxation times
ترجمه فارسی عنوان
تعمیم ترمیم الاستیسیته عکس در یک صفحه نیمه هادی با دو زمان آرام سازی
کلمات کلیدی
دو بار آرامش امواج عکس-ترموالاستیک، رویکرد خاص ارزش،
ترجمه چکیده
این مطالعه بر اثر زمان آرامش حرارتی در محیط نیمه هادی دو بعدی با استفاده از رویکرد صحیح ارزش تمرکز دارد. فرمولاسیون تحت نظریه گرین و لیدزی با دو بار آرام سازی اعمال می شود. سطح محدودی نیمه فضایی به یک شار گرما با یک پالس تخریب پذیر تبدیل می شود و به صورت کششی آزاد می شود. راه حل های متغیرها با استفاده از تحولات لاپلاس-فوریه و روش رویکرد صحیح به دست می آید. مواد نیمه هادی مانند سیلیکون در نظر گرفته شده است. محاسبات عددی به دست می آید و نتایج به صورت گرافیکی برای ارزیابی اثرات زمان آرامش حرارتی بر روی موج های پلاسما، حرارتی و الاستیک صورت می گیرد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی عمران و سازه
پیش نمایش مقاله
تعمیم ترمیم الاستیسیته عکس در یک صفحه نیمه هادی با دو زمان آرام سازی
چکیده انگلیسی
This study focuses on the effect of thermal relaxation times in a two-dimensional semiconductor medium by using eigenvalue approach. The formulation is applied under Green and Lindsay theory with two relaxation times. The bounding surface of the half-space is subjected to a heat flux with an exponentially decaying pulse and taken to be traction free. The variables solutions are obtained analytically by using Laplace-Fourier transformations and the eigenvalue approach methodology. A semiconducting material like as silicon is considered. The numerical computations are obtained and the outcomes are displayed graphically to assess the effects of the thermal relaxation times on the plasma, thermal, and elastic waves.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin-Walled Structures - Volume 129, August 2018, Pages 342-348
نویسندگان
, ,