Pulsative heating of silicon thin film resembling laser pulses

پاسخ حرارتی فیلم های نازک تحت حرارت پالس، شبیه به پالس لیزر، در نظر گرفته شده است و راه حل نیمه تحلیلی حمل و نقل شعاعی فونون ارائه شده است. پالس دما در لبه فیلم مشابه شبیه به پالس های لیزر معرفی شده است و فیلم نازک سیلیکون به عنوان ماده فیلم مورد استفاده قرار می گیرد. از آنجایی که ضخامت فیلم قابل مقایسه با میانگین آزاد سیلیکون است، معادله انتقال فونون شعاعی در تجزیه و تحلیل وجود دارد. یافته های دما از راه حل نیمه تحلیلی با آنچه که از راه حل عددی حاصل شده است مقایسه می شود. درجه تعادل متعادل برای تعیین میزان توزیع شدت فونون در فیلم معرفی شده است. مشخص شده است که دمای تعادل متعادل از محلول نیمه تحلیلی به خوبی با همتای خود که از شبیه سازی های عددی حاصل می شود، همخوانی دارد. راه حل نیمه تحلیلی به درستی پیش بینی می کند که درجه حرارت در لبه های فیلم است. راه حل نیمه تحلیلی تلاش های محاسباتی را به طور قابل توجهی با توجه به زمان اجرا و اندازه حافظه، که برای شبیه سازی های عددی مورد نیاز است، کاهش می دهد. توزیع زمانی دما در داخل فیلم در مکان های مختلف دقیقا همان چیزی است که پالس های درجه حرارت در یک لبه فیلم سیلیکون معرفی می کنند.