کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7129154 | 1461596 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Precision tuning of InAs quantum dot emission wavelength by iterative laser annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Controlling the emission wavelength of quantum dots (QDs) over large surface area wafers is challenging to achieve directly through epitaxial growth methods. We have investigated an innovative post growth laser-based tuning procedure of the emission of self-assembled InAs QDs grown epitaxially on InP (001). A targeted blue shift of the emission is achieved with a series of iterative steps, with photoluminescence diagnostics employed between the steps to monitor the result of intermixing. We demonstrate tuning of the emission wavelength of ensembles of QDs to within approximately ±1â¯nm, while potentially better precision should be achievable for tuning the emission of individual QDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 103, July 2018, Pages 382-386
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 103, July 2018, Pages 382-386
نویسندگان
Jan J. Dubowski, Radoslaw Stanowski, Dan Dalacu, Philip J. Poole,