Subwavelength structures for high power laser antireflection application on fused silica by one-step reactive ion etching

در این مقاله، یک روش ساده برای ساخت یک ساختار جدید ساختار طول موج بر روی بستر سیلیکا سوسپانسی با استفاده از یک مرحله اچینگ واکنشی یونی با دو بعدی کریستال های کلوئیدی پلی استایرن به عنوان ماسک ها گزارش می کنیم. فرایند اچینگ و مورفولوژی ساختار به دست آمده کنترل می شوند. ما نشان می دهیم که دوره حاصل شده از آرایه های ستون سیلیس مخلوط شده با اندازه نانوذرات اولیه پلی استایرن تعیین می شود. ارتفاع آرایه های ستون را می توان با کنترل مدت زمان اچینگ تنظیم کرد، که در خلق ویژگی های ضد انعکاسی سطح سازه های زیر طول موج اهمیت دارد. سطوح جدید ساختارهای زیر طول موج نشاندهنده خواص ضدعفونی پهنای باند بسیار عالی است، اما اندازه ستون تاثیرات ضد انعکاسی در ناحیه طول موج کوتاه دارد. ما پیش بینی می کنیم که این روش یک راه مناسب و مقیاس پذیر برای طرح های زمینه ای لیزری با قدرت بالا و کارآیی بالا ارائه می دهد.