کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7133867 | 1461831 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A V2O5/4H-SiC Schottky diode-based PTAT sensor operating in a wide range of bias currents
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A proportional to absolute temperature sensor (PTAT) based on V2O5/4H-SiC (vanadium pentoxide/4H polytype of silicon carbide) Schottky diodes is presented. The linear dependence on temperature of the voltage difference appearing at the terminals of two constant-current forward-biased diodes has been used for thermal sensing in the wide temperature range from T = 147 K to 400 K which extends down the state-of-the art of more than 80 K. The proposed sensor shows a sensitivity of 307 μV/K, a good reproducibility and a stable linear output also in case of deviation of the two bias currents from the best operating condition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 269, 1 January 2018, Pages 171-174
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 269, 1 January 2018, Pages 171-174
نویسندگان
Sandro Rao, Giovanni Pangallo, Luigi Di Benedetto, Alfredo Rubino, Gian Domenico Licciardo, Francesco G. Della Corte,