کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7135133 | 1461860 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantitative modeling of betavoltaic microbattery performance
ترجمه فارسی عنوان
مدلسازی کمی از عملکرد میکرو بطولتاویکی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
بتالاکتیو میکروبکترونی، شبیه سازی مونت کارلو، سرعت تولید الکترونی سوراخ سوراخ،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
چکیده انگلیسی
This paper presents a simulation model to predict the power generation of p-n junction-based betavoltaic devices. The model provides two key aspects of information for device evaluation: electron-hole pair generation rate and device power output. A Monte-Carlo model was used to simulate generation rate and the device performance was simulated using the generation rate with Synopsys® Medici. We investigated the effects of the temperature, semiconductor materials with different bandgap energies (Si, Ge and SiC) and different isotope sources (Ni-63 and tritium) on the performance of betavoltaic microbatteries. Our simulation results indicate that a homojunction structure with wide bandgap semiconductor is more favorable for betavoltaic device performance. A simple wide bandgap p-n junction cell with an embedded radioisotope source could be the most promising candidate for betavoltaic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 240, 1 April 2016, Pages 131-137
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 240, 1 April 2016, Pages 131-137
نویسندگان
Kan Zhang, Gui Gui, Piyush Pathak, Jung-Hun Seo, James P. Blanchard, Zhenqiang Ma,