کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7136291 | 1461878 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental, analytical and numerical investigation of non-linearity of SOI diode temperature sensors at extreme temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents the performance of a silicon-on-insulator (SOI) p+/p-well/n+ diode temperature sensor, which can operate in an extremely wide temperature range of 80Â K to 1050Â K. The thermodiode is placed underneath a tungsten micro-heater which is embedded in a thin dielectric membrane, obtained with a post-CMOS deep reactive ion etching process. Analytical and numerical models are used to support experimental findings. Non-linearity, sensitivity and methods for their reduction and enhancement, respectively, are investigated in detail.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 222, 1 February 2015, Pages 31-38
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 222, 1 February 2015, Pages 31-38
نویسندگان
A. De Luca, V. Pathirana, S.Z. Ali, D. Dragomirescu, F. Udrea,