کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7137319 | 1461888 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stress reduction in ultra-small thin film Al2O3 diaphragms by atomic layer deposition
ترجمه فارسی عنوان
کاهش استرس در دیافراگم آلومینیوم نازک بسیار کوچک توسط رسوب لایه اتمی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
چکیده انگلیسی
In this paper we present a concept of reducing the residual stress in atomic-layer-deposited Al2O3 diaphragms by compensating the tensile intrinsic stress with a compressive thermal stress. This is facilitated by using single-crystal quartz substrates which exhibit a high coefficient of thermal expansion. We studied the stress in diaphragms fabricated at different deposition temperatures and showed that there is a transition from tensile to compressive residual stress with increasing deposition temperature. An optimal temperature for stress-free films was proposed and diaphragms with a compressive residual stress as small as â10Â MPa were fabricated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 212, 1 June 2014, Pages 159-164
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 212, 1 June 2014, Pages 159-164
نویسندگان
Tobias Süss, Philipp Braeuninger-Weimer, Christofer Hierold,