کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7138226 | 1461914 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A gated single-photon avalanche diode array fabricated in a conventional CMOS process for triggered systems
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠A monolithically integrated SPAD array for triggered imaging systems is presented. ⺠The array is operated in a gated mode with a low reverse overvoltage of 1.0 V. ⺠Measurements show that afterpulses are avoided and the dark count probability is reduced. ⺠An extended dynamic range of 15 bits is obtained with a gate on time of 10 ns. ⺠A photon detection efficiency of 1.4% is achieved with a low reverse overvoltage of 1.0 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 186, October 2012, Pages 163-168
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 186, October 2012, Pages 163-168
نویسندگان
E. Vilella, A. Diéguez,