A novel constitutive model for semiconductors: The case of silicon

صنعت فتوولتائیک به شدت بر روی مولکولهای بلوری سیلیکون خورشیدی تکیه می کند. درک رفتار مکانیکی آنها نیاز به توسعه مدلهای سازنده کافی برای تأثیرات هر دو تراکم پراکندگی بالا و شرایط بارگیری پیچیده در طیف گسترده ای از درجه حرارت، میزان فشار و محتوای ناخالصی دارد. مدل سنتی الکساندر و هاآزن چندین محدودیت را ایجاد می کند. ما در این کار یک مدل سازنده جدید برای کریستال های تک کوانتال و اجرای آن به چارچوب پلاستیکی کریستال وابسته به سرعت معرفی می کنیم. این فیزیکی کاملا مبتنی بر فرایندهای تولید، ذخیره سازی و نابودی جابجایی در جریان جریان پلاستیک است. تراکم جابجایی کل بر اساس پتانسیل تحرک جابجایی و شخصیت آنها تقسیم می شود. قانون اصلاح جابجایی برای منطقه عملکرد دقیق تر از الکساندر و هاآسن پیشنهاد شده است. تأثیر منابع اضلاع ویرانگر ایجاد شده در درختان جنگل، معمولا در مدلهای نیمه هادی ها نادیده گرفته می شود. قانون سرعت جابجایی ترکیبی از سه مکانیزم محدود کننده سرعت است: مکانیسم دوقطبی استاندارد دوقطبی، کشیدن قوسی و تاثیر موانع موضعی. این مدل در سویه های محدود، در شرایط لغزش چندگانه معتبر است و حساسیت بالا نسبت به دمای بالا و فشار نیمه هادی ها را دقیق می کند. بیش از حد استرس آزمایشی، فقط هنگامی که کشیدن جادو به حساب می آید، کافی است. موانع موضعی نشان می دهد که هیچ اثر معنی داری بر حرکت جابجایی در سیلیکون ندارد. مورد وسیعتری از نیمه هادی های بیرونی مورد بحث قرار گرفته است و تأثیر اکسیژن محلول در تنش بالا بر روی تک کریستال های سیلیکون با موفقیت تولید می شود.