| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 7218303 | 1470282 | 2016 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Top electrode-dependent retention characteristics of thin-film transistors with carbon nanotube/(Bi,Nd)4Ti3O12 structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
(a) Schematic of the strip pattern SWCNTs experiment setup. (b) Schematic illustration of the SWCNTs/BNT TFT. (c) Memory principle of the SWCNTs/BNT TFT.202
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials & Design - Volume 100, 15 June 2016, Pages 241-244
Journal: Materials & Design - Volume 100, 15 June 2016, Pages 241-244
نویسندگان
Q.H. Tan, Q.J. Wang, Y.K. Liu, J.S. Shi, S.Q. Jiang, H.L. Yan,