کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
724819 | 892433 | 2006 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
ESD design automation & methodology to prevent CDM failures in 130 & 90 nm ASIC design systems
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Design automation tools for ESD are described that ensure robust protection at both the cell and chip level in a high-volume, highly automated ASIC design system. The Charged Device Model (CDM) failure modes discovered in the 130 nm technology are described, and the design automation tools that were implemented to prevent these failures are presented. There are three primary components: Design rule checking for ESD; transient CDM simulations on extracted net lists; and analysis of chip-level power supply net resistances.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electrostatics - Volume 64, Issue 2, February 2006, Pages 112–127
Journal: Journal of Electrostatics - Volume 64, Issue 2, February 2006, Pages 112–127
نویسندگان
Ciaran J. Brennan, Joseph Kozhaya, Robert Proctor, Jeffrey Sloan, Shunhua Chang, James Sundquist, Terry Lowe, David Picozzi,