کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
733058 | 893308 | 2009 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Feasibility of Er3+-doped, Ga5Ge20Sb10S65 chalcogenide microstructured optical fiber amplifiers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Feasibility of Er3+-doped, Ga5Ge20Sb10S65 chalcogenide microstructured optical fiber amplifiers Feasibility of Er3+-doped, Ga5Ge20Sb10S65 chalcogenide microstructured optical fiber amplifiers](/preview/png/733058.png)
چکیده انگلیسی
The feasibility of a microstructured optical fiber (MOF) amplifier, made of a novel Er3+-doped chalcogenide glass, has been demonstrated via accurate simulations performed by employing an oppositely implemented computer code. The optical and geometrical parameters measured on the first MOF sample together with other physical constants from literature have been taken into account in the simulations. The calculated optical gain of the optimized MOF amplifier, 2.79 m long, is close to 23 dB at the signal wavelength of 1.538 μm, by using a pump power of 200 mW and a signal power of 0.1 μW.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 41, Issue 1, February 2009, Pages 99–106
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 41, Issue 1, February 2009, Pages 99–106
نویسندگان
M. De Sario, L. Mescia, F. Prudenzano, F. Smektala, F. Deseveday, V. Nazabal, J. Troles, L. Brilland,