کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
733155 | 893319 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The g–r noise in quantum well semiconductor lasers and its relation with device reliability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The g–r noise in quantum well semiconductor lasers is studied theoretically and experimentally. The results indicate that the g–r noise is dependent on bias current, the devices show the g–r a noise only at low bias current, with the bias current increasing, the g–r noise will disappear. The g–r noise has a close relation with defects; the devices with g–r noise degrade rapidly during the electric aging. It is means that measuring the noise at low bias current is very important for estimating device reliability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 39, Issue 1, February 2007, Pages 165–168
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 39, Issue 1, February 2007, Pages 165–168
نویسندگان
Guijun Hu, Jing Li, Yingxue Shi, Jiawei Shi,