کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
734008 | 893383 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lifetime extrapolation of 650 nm InGaAlP laser diodes with or without adequate burn-in time
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The 650 nm InGaAlP laser diodes are the most popular photonic device in consumer electronics. Some of these lasers do not receive adequate burn-in time before sending downstream to practical applications. Lasers without adequate burn-in time may exhibit decreasing operating current and ageing tests may not generate results that can be used to predict laser lifetime and reliability. This paper presents a unified approach that allows us to predict lifetime of lasers with either increasing or decreasing operating current in short-duration ageing tests. Methods for data processing are illustrated by case examples regarding lifetime extrapolation of the data from a 1000 h ageing test of commercially available 650 nm, InGaAlP, 10 mW lasers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 40, Issue 1, February 2008, Pages 92–98
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 40, Issue 1, February 2008, Pages 92–98
نویسندگان
Yajun Li,