کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
735249 | 893588 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Micro-Raman spectroscopy characterization of polycrystalline silicon films fabricated by excimer laser crystallization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The rapid recrystallization of amorphous silicon films utilizing excimer laser crystallization (ELC) is presented. The resulting poly-Si films are characterized by Raman spectroscopy. Polycrystalline silicon (poly-Si) films with higher crystallinity can be realized by a dehydrogenation process before ELC. Raman spectra as a function of various excimer laser energy densities are demonstrated. The crystallinity and residual stress of the poly-Si films are determined and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics and Lasers in Engineering - Volume 47, Issue 5, May 2009, Pages 612–616
Journal: Optics and Lasers in Engineering - Volume 47, Issue 5, May 2009, Pages 612–616
نویسندگان
Chil-Chyuan Kuo,