کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
735436 | 893608 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of optical constants of silicon photodiode from reflectivity measurements at normal incidence of light
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The reflectance of single crystal silicon was carried out at normal angle of incidence in the region from 1 to 5 eV. From these reflectance data, using Kramer–Kronig relations the phase angles between electric fields of incident and reflected waves were calculated. Using the phase angles and Fresnel reflectivity equations, optical constants (n+ik, α, ε1−iε2,) of silicon were determined.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics and Lasers in Engineering - Volume 45, Issue 1, January 2007, Pages 245–248
Journal: Optics and Lasers in Engineering - Volume 45, Issue 1, January 2007, Pages 245–248
نویسندگان
Özcan Bazkir,