کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
737111 | 1461905 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spectrum selective UV detectors from an p-ZnO:As/n-GaN diodes grown by Molecular Beam Epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, heterojunctions prepared with arsenic doped ZnO films grown on n-type GaN templates by Molecular Beam Epitaxy was obtained. Very good response to ultraviolet light illumination of this structure was observed from photo current measurements. The difference between the dark and bright current was relatively large and it is at about 104. The photodiode was used for UV detector application and the detector showed a highly selective and fast response in UV region.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 195, 1 June 2013, Pages 27–31
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 195, 1 June 2013, Pages 27–31
نویسندگان
E. Przeździecka, K. Gościński, M. Stachowicz, D. Dobosz, E. Zielony, J.M. Sajkowski, M.A. Pietrzyk, E. Płaczek-Popko, A. Kozanecki,