کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
737241 | 893920 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A distributed MEMS phase shifter on a low-resistivity silicon substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Distributed MEMS phase shifters using CMOS-grade low-resistivity silicon have been successfully developed. Kapton films were utilized as dielectric layers to reduce RF signal attenuation in the lossy silicon substrate. The scattering parameters were evaluated from DC to 26 GHz. The phase shifting reaches 43° and insertion losses are less than 1.4 dB. The manufacturing process is simple and compatible with CMOS and post CMOS processes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 144, Issue 1, 28 May 2008, Pages 207–212
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 144, Issue 1, 28 May 2008, Pages 207–212
نویسندگان
Jianqun Wang, Thermpon Ativanichayaphong, Wen-Ding Huang, Ying Cai, Alan Davis, Mu Chiao, J.-C. Chiao,