کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
737522 | 1461907 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-speed photodiodes in 40 nm standard CMOS technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work investigates two silicon (Si) photodiodes (PDs) fabricated in 40 nm standard CMOS technology. The basic structure of the proposed Si PD is formed by N+/P-substrate and N-well/P-substrate diodes. The N+/P-substrate PD demonstrates a responsivity of 0.09 A/W and an electrical bandwidth of 3 GHz for 8 V reverse bias at 520 nm. The N-well/P-substrate PD demonstrates a responsivity of 0.24A/W and an electrical bandwidth of 1.2 GHz for 14.8 V reverse bias at 660 nm. For 520 nm, the N-well/P-substrate PD shows a responsivity of 0.18A/W and an electrical bandwidth of 3.0 GHz for 14.8 V reverse bias.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 193, 15 April 2013, Pages 213–219
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 193, 15 April 2013, Pages 213–219
نویسندگان
M. Atef, A. Polzer, H. Zimmermann,