کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
737634 | 1461912 | 2012 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SiGe MEMS at processing temperatures below 250 °C
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: SiGe MEMS at processing temperatures below 250 °C SiGe MEMS at processing temperatures below 250 °C](/preview/png/737634.png)
چکیده انگلیسی
This work demonstrates, for the first time, the use of a post deposition laser annealing technique to realize operational SiGe MEMS devices at deposition temperatures as low as 210 °C. The patterned amorphous SiGe layers are treated by an excimer laser to induce crystallization. After the laser treatment, SiGe devices with good electrical and mechanical properties, such as contact resistivity values to a TiN electrode as low as 4.9 × 10−7 Ω cm2 and a strain gradient of −1.6 × 10−6 μm−1, are obtained. Devices such as an array of functional capacitive test structures and capacitive switches are realized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 188, December 2012, Pages 230–239
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 188, December 2012, Pages 230–239
نویسندگان
Joumana El-Rifai, Sherif Sedky, Rita Van Hoof, Simone Severi, Dennis Lin, Sandeep Sangameswaran, Robert Puers, Chris Van Hoof, Ann Witvrouw,