کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
737886 | 893972 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A low cost n-SiCN/p-SiCN homojunction for high temperature and high gain ultraviolet detecting applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A novel n-SiCN/p-SiCN homojunction was developed on Si substrate for low cost and high temperature ultraviolet (UV) detecting applications. The current ratio of the junction under −5 V bias, with and without irradiation of 254 nm UV light are 1940 and 96.3, at room temperature and 175 °C, respectively. Compared to the reported UV detectors with material of 4H-SiC or β-SiC, the developed n-SiCN/p-SiCN homojunction has better current ratio in both room and elevated temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 147, Issue 1, 15 September 2008, Pages 60–63
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 147, Issue 1, 15 September 2008, Pages 60–63
نویسندگان
Tse-Heng Chou, Yean-Kuen Fang, Yen-Ting Chiang, Cheng-I Lin, Che-Yun Yang,