کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
738026 | 893982 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and characteristics of a PECVD SiC evanescent wave optical sensor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This work presents a simple evanescent wave-sensing system based on plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) silicon carbide (SiC) waveguides. Thin SiC films were deposited on Si substrates with a SiO2 film acting as a cladding layer around the carbide core. In the sensor, the evanescent tale of the light travelling in a waveguide senses an absorbant medium placed above the waveguide. By using a 1 × 2 power splitter, the sensor is calibrated using one arm as a reference. This shows that the sensitivity of such a sensor is improved by choosing SiC as waveguide material compared to silicon nitride (SiN) films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 142, Issue 1, 10 March 2008, Pages 61–66
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 142, Issue 1, 10 March 2008, Pages 61–66
نویسندگان
G. Pandraud, P.J. French, P.M. Sarro,