کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
738181 | 893989 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of high drain voltage on stress sensitivity in nMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of mechanical stress on the MOSFET performance under various biasing conditions is presented here. Study on the stress sensitivity suggests an increased sensitivity at higher drain voltages. Higher stress sensitivity obtained at higher drain voltage is due to impact ionization. Stress sensitivity shows a good linearity with the applied stress at higher operating voltages. Optimum gate voltage and drain voltage exists for maximum sensitivity. The results are promising for their application in high sensitivity smart stress sensors for varieties of applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 140, Issue 1, 1 October 2007, Pages 89–93
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 140, Issue 1, 1 October 2007, Pages 89–93
نویسندگان
Radhakrishna Vatedka, Hidekuni Takao, Kazuaki Sawada, Makoto Ishida,