کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
738373 | 894002 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High temperature Hall sensors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this contribution we report on the preparation of high temperature Hall sensors (HTHS). The maximum working temperature of the sensors is not less than 573 K (300 °C). The HTHS active element is a heavily n-doped InSb layer epitaxially grown on GaAs. The InSb layer is protected from the hot ambient by a 0.1 μm SiOx layer (x ≤ 2). The magnetic sensitivity of the sensors is 0.1 V/(A T), its temperature coefficient is 0.02 %/K or less. The HTHS can also be used in the cryogenic temperature range without loosing their basic properties and advantages. Thus, the temperature range of the sensors applicability is unusually broad.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 136, Issue 1, 1 May 2007, Pages 234–237
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 136, Issue 1, 1 May 2007, Pages 234–237
نویسندگان
Maciej Oszwaldowski, Tomasz Berus,