کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
738456 | 894007 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wafer-scale fabrication of infrared detectors based on tunneling displacement transducers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Miniaturized Golay cells based on tunneling displacement transducers were first produced at the Jet Propulsion Laboratory (JPL). The devices produced have performance characteristics comparable to the best thermal infrared detectors of comparable dimensions. This work describes a high yield wafer-scale process for fabrication of tunneling infrared detectors. The sensors produced have performance comparable to the best tunneling sensors made so far.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 134, Issue 2, 15 March 2007, Pages 575–581
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 134, Issue 2, 15 March 2007, Pages 575–581
نویسندگان
Olaleye Ajakaiye, John Grade, Choongsoo Shin, Thomas Kenny,