کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | ترجمه فارسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|---|
738716 | 1461932 | 2008 | 15 صفحه PDF | سفارش دهید | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Horizontal HALL devices: A lumped-circuit model for EDA simulators
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A completely scalable lumped-circuit model for horizontal HALL devices is presented therein that can be efficiently implemented in SPICE-like EDA simulators. The model has been employed for the quantitative analysis of: (a) geometrical, (b) temperature, and (c) field-dependent mobility effects, as well as for (d) the dynamic response and (e) the noise behavior of several HALL sensors. A series of experimental data is presented along with a review to junction field effect transistor (JFET) operation theory.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volumes 145–146, July–August 2008, Pages 161–175
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volumes 145–146, July–August 2008, Pages 161–175
نویسندگان
P.D. Dimitropoulos, P.M. Drljaca, R.S. Popovic, P. Chatzinikolaou,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت