کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
738969 | 894054 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Micro-pressure sensors made of indium tin oxide thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The microstructure, electrical resistivity and piezoresistive property of magnetron sputtered indium tin oxide (ITO) films were investigated as functions of preparation and post-annealing conditions. Annealing at 400 °C for 30 min resulted in low electrical resistivity ≤6.0 × 10−3 Ω cm and observable piezoresistive coefficient ranging from −4.3 × 10−11 to −7.1 × 10−11 Pa−1. Prototypes of pressure sensors with an annealed ITO film deposited on a 25 μm thick silicon diaphragm were fabricated. With a bias voltage of 1 V, the device gave a voltage response of 12.6 mV when the differential pressure across the diaphragm varied from −6 × 104 to 6 × 104 Pa.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 137, Issue 1, 12 June 2007, Pages 1–5
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 137, Issue 1, 12 June 2007, Pages 1–5
نویسندگان
Kai Wah Yeung, Chung Wo Ong,