کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
738969 | 894054 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Micro-pressure sensors made of indium tin oxide thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Micro-pressure sensors made of indium tin oxide thin films Micro-pressure sensors made of indium tin oxide thin films](/preview/png/738969.png)
چکیده انگلیسی
The microstructure, electrical resistivity and piezoresistive property of magnetron sputtered indium tin oxide (ITO) films were investigated as functions of preparation and post-annealing conditions. Annealing at 400 °C for 30 min resulted in low electrical resistivity ≤6.0 × 10−3 Ω cm and observable piezoresistive coefficient ranging from −4.3 × 10−11 to −7.1 × 10−11 Pa−1. Prototypes of pressure sensors with an annealed ITO film deposited on a 25 μm thick silicon diaphragm were fabricated. With a bias voltage of 1 V, the device gave a voltage response of 12.6 mV when the differential pressure across the diaphragm varied from −6 × 104 to 6 × 104 Pa.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 137, Issue 1, 12 June 2007, Pages 1–5
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 137, Issue 1, 12 June 2007, Pages 1–5
نویسندگان
Kai Wah Yeung, Chung Wo Ong,