کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
739124 | 1461936 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tunnel magnetoresistive current sensors for IC testing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we demonstrate that tunnel magnetoresistive (TMR) elements can be used as sensitive built-in current sensors in the μA–mA range for IC testing. The sensor can be integrated in CMOS and uses a technology similar to the magnetic random access memory (MRAM) technology; therefore the implementation of the sensor is expected to be cost-effective in ICs containing embedded MRAM. A sensitivity of 2.5 (mV/V)/mA and a current resolution of about 5 μA have been achieved. The design, fabrication process and measurement results of different sensor geometries are presented and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 129, Issues 1–2, 24 May 2006, Pages 69–74
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 129, Issues 1–2, 24 May 2006, Pages 69–74
نویسندگان
Kim Le Phan, Hans Boeve, Frederik Vanhelmont, Ton Ikkink, Frans de Jong, Hans de Wilde,